中華人民共和國國家標準(中國大陸GB標準)英文版 |
GB標準是中華人民共和國國家標準,也叫GB國標,是中國大陸強制執行的國家標準,所有中國大陸境內銷售的商品及提供服務都必須符合GB國家標準的要求,包括進口商品及服務; 本網站提供GB國家標準的查詢檢索,英文版翻譯,GB標準產品檢測檢驗及合規性分析服務; |
GB/T 42902-2023 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法(中英文版) Testing of surface defects of silicon carbide epitaxial wafers Laser scattering method |
|||
GB/T 43493.3-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法(中英文版) Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 3: Photoluminescence detection method of defects |
|||
GB/T 43493.2-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分:缺陷的光学检测方法(中英文版) Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 2: Optical detection methods for defects |
|||
GB/T 43493.1-2023 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分:缺陷分类(中英文版) Semiconductor devices - Non-destructive testing and identification criteria for defects in silicon carbide homoepitaxial wafers for power devices - Part 1: Defect classification |
|||
GB/T 14139-2019 硅外延片(中英文版) Silicon epitaxial wafers |
|||
GB/T 35310-2017 200mm硅外延片(中英文版) 200mm silicon epitaxial wafer |
|||
GB/T 14139-2009 硅外延片(中英文版) Silicon epitaxial wafers |
|||
SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范(中英文版) Specification for silicon epitaxial wafer for microwave power transistor |
|||
GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片(中英文版) Silicon on sapphire epitaxial wafers |
找到:9條目 | [首頁]-[上一頁]-[下一頁]-[尾頁] | 去到: 1 |